Im Kampf der Kleinigkeiten versucht Intel, gegen den Konkurrenten Advanced Micro Devices (AMD) neue Maßstäbe zusetzen: 90 Nanometer, also 90 Millardstel Meter, messen die Strukturen auf dem SRAM-Speicher, dessen Bezeichnung für "Static Randam Acces Memory" steht und der als Pufferspeicher oder "Cache" Einfluss auf die Gesamtrechenleistung hat.

Die Forscher konstruierten angeblich einen nur 109 Quadratmillimeter kleinen Chip. Der passt locker auf ein 5-Euro-Cent-Stück, enthält aber 330 Millionen Transistoren und kann 52 Megabit Informationen speichern. Bereits im kommenden Jahr soll diese Nanometer-Technologie in Serienproduktion gehen.

Mit der SRAM-Zelle sei eine neue Marke für Speicherdichte in der Silizium-Technologie gesetzt worden, sagte Intel-Vizepräsident Sunlin Chou. Dank der neuen Technologie will der Chiphersteller künftig alle zwei Jahre eine neue Prozessor-Generation auf den Markt bringen.